特許
J-GLOBAL ID:200903082800936979

酸化物超電導部材およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-203352
公開番号(公開出願番号):特開2001-031418
出願日: 1999年07月16日
公開日(公表日): 2001年02月06日
要約:
【要約】【課題】 結晶配向性を向上させることで臨界電流密度の高い酸化物超電導薄膜を有する酸化物超電導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 主平面を有する基材1上に中間層2と酸化物超電導薄膜3とが形成されている。中間層2は、基材1の主平面に対して斜めに成長した結晶構造を有している。酸化物超電導薄膜3は、中間層2上に形成され、RE(希土類)系123構造(REBa2 Cu3 Oy )のCuサイトの一部を遷移金属元素(TM)で置換した組成(REBa2 (Cu3-x TMx )Oy )を有している。
請求項(抜粋):
主平面を有する基材と、前記基材の主平面に対して斜めに成長した結晶構造を有する中間層と、前記中間層上に形成され、RE(希土類)系123構造(REBa2 Cu3 Oy )のCuサイトの一部を遷移金属元素で置換した組成を有する酸化物超電導層とを備えた、酸化物超電導部材。
IPC (5件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 13/00 565
FI (5件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/24 ZAA B ,  H01B 13/00 565 D
Fターム (20件):
4G047JA04 ,  4G047JB02 ,  4G047JB04 ,  4G047JC03 ,  4G047KE02 ,  4G047LB01 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113BA04 ,  4M113CA34 ,  4M114AA10 ,  4M114AA29 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA06 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA28 ,  5G321DB38
引用特許:
審査官引用 (6件)
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