特許
J-GLOBAL ID：200903082818142791

半導体装置

発明者：
川下 達也

川下 達也 について

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山下 寛樹

山下 寛樹 について

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柳生 正義

柳生 正義 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-013045
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202979
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 静電保護回路と終端回路を小面積で実現可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 信号端子INから入力バッファBufに至る信号ノードND1と電源電圧ノードVDDとの間に静電保護機能を備えたPMOSトランジスタMP1を設け、更に、PMOSトランジスタMP1のゲートに参照電圧Vrefpを供給する電圧生成回路VG_pを設け、電圧生成回路VG_pによって参照電圧Vrefpを制御し、PMOSトランジスタMP1のソース-ドレイン間の抵抗値を設定する。これによって、PMOSトランジスタMP1は、静電保護機能に加え、信号端子INに接続される伝送線路等の特性インピーダンスに応じて抵抗値を設定可能な終端抵抗として機能させることが可能になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
信号端子と、 前記信号端子に接続された信号配線と、 電源配線と、 前記信号配線に接続された入力バッファと、 静電保護に際してソースとドレインを導通することで前記信号配線と前記電源配線の間をクランプする第1トランジスタと、 前記第1トランジスタのゲート電圧を制御する電圧生成回路とを有し、 前記第1トランジスタは、前記電圧生成回路によってソースとドレインの間の抵抗値が設定されることで、前記静電保護の機能に加えて信号終端の機能を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823
FI (4件)：
H01L27/04 H ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/04 R ,  H01L27/08 102F
Fターム (21件)：
5F038AV07 ,  5F038AV09 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ08 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AB05 ,  5F048AB08 ,  5F048AC03 ,  5F048BB01 ,  5F048BC01 ,  5F048CC01 ,  5F048CC05 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC11 ,  5F048CC12 ,  5F048CC15 ,  5F048CC18 ,  5F048CC19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-234737   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (2件)

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