特許
J-GLOBAL ID：200903082854413050
半導体膜の製造方法、およびアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置用アクティブマトリクス基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-052469
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251261
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 ラインビームの長尺方向の均一化のために分割素子からなるホモジナイザーを用いることによって光の干渉が生じ、その結果ラインビームに強度分布が生じても、それが縞として認識されることがないよう、特定ヶ所に強度分布が集中することを避ける。【解決手段】 ほぼ長尺方向をX方向とするラインビームが照射された半導体膜付き基板の任意の一点において、このラインビームを形成するホモジナイザーによる光の干渉が原因となるエネルギー光の強度分布の山と谷がラインビームの長尺方向に生じたとしても、基板をX方向に移動させることによって、エネルギー光強度の山、または谷が照射の最初から最後まで前出の任意の一点の延長線上に集中することなく分散される。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体膜を形成する工程と、前記基板とラインビームの少なくとも一方を所定の移動方向に移動させながら、前記半導体膜に前記ラインビームを照射して結晶性半導体膜を得る工程とを有する半導体膜の製造方法であって、前記移動方向は、前記ラインビームのほぼライン方向を有することを特徴とする半導体膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/268
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/268 J
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
