特許

J-GLOBAL ID：200903082860275122

半導体装置及びその作製方法

発明者： 福地 邦彦 ,  高山 徹
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-377419
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200763
出願日： 1998年12月29日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置に用いる金属膜の応力を低減することによりピーリングの発生を防止し、半導体装置の信頼性を向上させることを課題とする。【解決手段】 スパッタリングにより金属膜を成膜する工程において、スパッタリングに用いるガスに、アルゴンとキセノンの混合ガスを用いる。

請求項（抜粋）：

スパッタリングにより金属膜を成膜する工程を有し、前記スパッタリングに用いるガスは、アルゴンとキセノンの混合ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/285 S ,  C23C 14/34 M ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 619 B

Fターム (57件)：

4K029BA01 ,  4K029BA07 ,  4K029BA11 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029EA05 ,  4M104AA10 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD41 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033PP15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX19 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK25 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110NN23 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110PP03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-058711   出願人：富士通株式会社
• バイアススパツタリング法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-183572   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開昭61-287121
  
• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-054195   出願人：ソニー株式会社