特許
J-GLOBAL ID：200903082868847010

負荷駆動用半導体装置

発明者：
太田 欣吾

太田 欣吾 について

, 
奥田 勝一

奥田 勝一 について

, 
安部 博文

安部 博文 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 佐藤 強 ,  小川 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-310865
公開番号（公開出願番号）：特開2006-129549
出願日： 2004年10月26日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 負荷駆動のために設けられた半導体スイッチング素子の熱マージンを、その大型化を伴うことなく確保すること。【解決手段】 ローサイドLDMOS16がフルオンされた状態では、そのドレイン電圧がほぼ0Vとなって第1ダイオード回路21が非道通状態に保持されるため、電流I1が流れることはなく、第2ダイオード回路22が導通して電流I2のみが流れる。電流I2が流れると、LDMOS16のゲート電圧が「バイポーラトランジスタ18のコレクタ・エミッタ間電圧+Vf」(Vはダイオードの順方向電圧降下)まで低下するため、LDMOS16のドレイン電圧が上昇するようになり、これに応じて第1ダイオード回路21が導通状態となって電流I1が流れるようになる。このような動作によって、LDMOS16のドレイン電圧が、「LDMOS16のゲート電圧+3Vf」に固定される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電源端子と負荷との間に接続される第1半導体スイッチング素子と、 前記負荷とグラント端子との間に接続される第2半導体スイッチング素子と、 前記第1半導体スイッチング素子の制御端子に対する印加電圧を制御することにより前記負荷に流れる電流を制御するハイサイドドライバと、 前記第2半導体スイッチング素子の制御端子に対する印加電圧を制御することにより当該半導体スイッチング素子をオンオフ制御するローサイドドライバと、 前記第2半導体スイッチング素子の負荷側電圧レベルが設定電圧未満の状態時に、当該半導体スイッチング素子の制御端子に対し前記ローサイドドライバから印加される電圧のレベルを強制的に低下させる電圧調整手段と、 を備えたことを特徴とする負荷駆動用半導体装置。
IPC (1件)：
H02M 1/08
FI (1件)：
H02M1/08
Fターム (6件)：
5H740BA12 ,  5H740BB01 ,  5H740BB05 ,  5H740HH03 ,  5H740HH05 ,  5H740KK01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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