特許
J-GLOBAL ID：200903082876475997
非晶質薄膜太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346206
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168354
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】微結晶相を含む非晶質シリコン(μc-Si)の層を有するpin型非晶質薄膜太陽電池において、光照射後の劣化を特性抑制し、効率の向上を図る。【解決手段】μc-Siのp層6と非晶質シリコンゲルマニウム(a-SiGe)のi層4との間に、p層6よりバンドギャップが広く、p型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン(a-Si)のp/i界面層5を挟む。
請求項（抜粋）：
非晶質薄膜からなるp型半導体層、実質的に真性なi型半導体層、n型半導体層を積層したpin接合を少なくとも一つ有する非晶質薄膜太陽電池において、少なくとも一つのpin接合のp型半導体層あるいはn型半導体層が微結晶相を含む非晶質シリコン系膜からなり、その微結晶相を含む非晶質半導体層と非晶質シリコン系膜からなるi型半導体層との接合界面において、バンドギャップがi型半導体層よりも広く、かつ、微結晶相を含む非晶質シリコン系膜と同一導電型の不純物を低濃度添加した非晶質シリコン系膜からなる界面半導体層が介在することを特徴とする非晶質薄膜太陽電池。
Fターム (12件)：
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051AA16
, 5F051BA18
, 5F051CA15
, 5F051DA04
, 5F051DA17
, 5F051DA20
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F051GA05
審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-122271
出願人：鐘淵化学工業株式会社
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太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-299168
出願人：シャープ株式会社
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特開昭55-011329
引用文献：
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