特許
J-GLOBAL ID：200903082891830612
トレンチゲート付き半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294986
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168333
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】トレンチ間の距離を狭めることなく正孔の排出抵抗を増加させ、通電損失の低減を可能にしたトレンチゲート付き半導体装置を提供する。【解決手段】IGBTはn型ベース層11を挟んで配設されたp型エミッタ層17とp型ベース層12とを有する。p型ベース層12を貫きn型ベース層11に達するように、一対の主トレンチ13が形成される。主トレンチ13で挟まれた電流経路領域41内において、p型ベース層12の表面に一対のn型エミッタ層15が形成される。一対のn型エミッタ層15の間で、p型ベース層12を貫きn型ベース層11に達するように、絞りトレンチ22が形成される。絞りトレンチ22は、n型ベース層11からp型ベース層12を通ってエミッタ電極19へ形成される正孔の排出経路を絞ることにより、正孔の排出抵抗を増加させる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層に第2導電型のキャリアを注入できるように、前記第1半導体層に配設された第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層内の第2導電型のキャリアを前記第1半導体層外に排出することができるように、前記第1半導体層に配設された第2導電型の第3半導体層と、前記第3半導体層を貫通して前記第1半導体層に至るように形成された1対のトレンチ部分と、前記一対のトレンチ部分の夫々内にゲート絶縁膜を介して配設された一対のゲート電極部分と、前記ゲート電極部分によって第3半導体層内に誘起されるチャネルを通して前記第1半導体層に第1導電型のキャリアを注入して伝導度変調を生じさせることができるように、前記一対のトレンチ部分で挟まれた前記第3半導体層の部分の表面において、前記一対のトレンチ部分の夫々に沿って形成された一対の第1導電型の第4半導体層部分と、前記第2半導体層にコンタクトするように配設された第1主電極と、前記第3半導体層及び前記第4半導体層部分にコンタクトするように配設された第2主電極と、前記一対の第4半導体層部分の間で、前記第3半導体層を貫通して前記第1半導体層に至るように形成され、前記第1半導体層から前記第3半導体層を通って第2主電極へ形成される第2導電型のキャリアの排出経路を絞るための絞りトレンチと、を具備することを特徴とするトレンチゲート付き半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
, H01L 29/78 655
H01L 29/78 652 A
, H01L 29/78 652 F
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 A
