特許

J-GLOBAL ID：200903082908342315

気相薄膜成長装置及び気相薄膜成長方法

発明者： 大橋 忠 ,  茶木 勝弘 ,  辛 平 ,  藤井 達男 ,  岩田 勝行 ,  三谷 慎一 ,  本多 恭章
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-354380
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177959
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 高品質が要求される半導体ウエハ基板の製造工程に適用される反応ガス流が安定しパーティクルの発生及び付着が少なくメンテナンスサイクルが長期である気相薄膜成長装置により結晶欠陥が少なく均一な膜厚の薄膜を気相成長する。【解決手段】 中空の反応炉の頂部に複数の反応ガス供給口、底部に排気口、内部にウエハ基板を載置する回転基板保持体、及び、内部上部に複数の孔が穿設された整流板を有し、内部に反応ガスを供給して回転基板保持体上のウエハ基板表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記反応炉の中空内部が、相当内径が異なる上下部に区分され、上部の相当内径が下部の相当内径より小さく、且つ、上部下端と下部上端とが連結部により接続され中空内部が連続すると共に、該連結部に整流ガス流出孔を有し、前記回転基板保持体が反応炉下部内の該上部下端より所定の高低差を有して下方に位置して配設されることを特徴とする気相薄膜成長装置。

請求項（抜粋）：

中空の反応炉の頂部に複数の反応ガス供給口、底部に排気口、内部にウエハ基板を載置する回転基板保持体、及び、内部上部に複数の孔が穿設された整流板を有し、内部に反応ガスを供給して回転基板保持体上のウエハ基板表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記反応炉の中空内部が、相当内径が異なる上下部に区分され、上部の相当内径が下部の相当内径より小さく、且つ、上部下端と下部上端とが連結部により接続され中空内部が連続すると共に、該連結部に整流ガス流出孔を有し、前記回転基板保持体が反応炉下部内の該上部下端より所定の高低差を有して下方に位置して配設されることを特徴とする気相薄膜成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/31 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-248434   出願人：株式会社東芝
• 基板処理方法および基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-231759   出願人：株式会社東芝
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-005891   出願人：株式会社東芝
• 特開昭61-111521
  

審査官引用 (4件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-248434   出願人：株式会社東芝
• 基板処理方法および基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-231759   出願人：株式会社東芝
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-005891   出願人：株式会社東芝
• 特開昭61-111521