特許

J-GLOBAL ID：200903082943962040

半導体装置及びその材料

発明者： 秦 恵子 ,  松岡 嘉夫
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (1件)： 鳴井 義夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-290015
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110898
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 熱処理後の冷却時に発生する残留応力を低く抑え、かつ耐水接着性、耐薬品性、耐熱性を兼ね備える等半導体用途として必要な種々の特性を満足する耐熱性有機材料と、これと無機材料からなる半導体装置を提供すること。【解決手段】 弾性率が4.5GPa以上10GPa以下であり、かつ塗膜の100°Cから200°Cの線熱膨張係数が25ppm/°C以上45ppm/°C以下、熱機械試験機(TMA)によって測定したガラス転移温度(Tg)が300°C以下であることを特徴とする耐熱性有機高分子材料と無機材料を積層してなる半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

弾性率が4.5GPa以上10GPa以下であり、かつ100°Cから200°Cの線熱膨張係数が25ppm/°C以上45ppm/°C以下、熱機械試験機(TMA)によって測定したガラス転移温度(Tg)が240°C以上300°C以下であることを特徴とする耐熱性有機高分子材料と無機材料を積層してなる半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/312 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C09D179/08 ,  C09J179/08

FI (6件)：

H01L 21/283 P ,  H01L 21/312 B ,  C09D179/08 Z ,  C09J179/08 Z ,  H01L 21/90 S ,  H01L 23/30 B

Fターム (76件)：

4J038DJ021 ,  4J038MA13 ,  4J038NA04 ,  4J038NA11 ,  4J038NA14 ,  4J038NA21 ,  4J038PA17 ,  4J038PB09 ,  4J038PC03 ,  4J040EH031 ,  4J040JB02 ,  4J040JB07 ,  4J040KA12 ,  4J040KA13 ,  4J040KA15 ,  4J040LA02 ,  4J040LA06 ,  4J040LA08 ,  4J040MA04 ,  4J040MB09 ,  4J040NA20 ,  4M104DD20 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA05 ,  4M109CA12 ,  4M109CA21 ,  4M109DB17 ,  4M109EA07 ,  4M109EA15 ,  4M109EC01 ,  4M109EC02 ,  4M109EC04 ,  4M109EC05 ,  4M109ED03 ,  4M109ED06 ,  4M109ED07 ,  4M109EE03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F058AA02 ,  5F058AA04 ,  5F058AD04 ,  5F058AD08 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AG03 ,  5F058AH03 ,  5F058BA04 ,  5F058BA07 ,  5F058BC01 ,  5F058BC07 ,  5F058BD07 ,  5F058BD09 ,  5F058BF02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 低熱膨張性ポリイミド樹脂およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106932   出願人：住友ベークライト株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-027367   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社