特許
J-GLOBAL ID：200903082957522299

酸化セリウム粒子及び加湿焼成による製造方法

発明者：
太田 勇夫

太田 勇夫 について

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谷本 健二

谷本 健二 について

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高熊 紀之

高熊 紀之 について


出願人/特許権者：
日産化学工業株式会社

日産化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357664
公開番号（公開出願番号）：特開2004-168639
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】 酸化セリウム粒子の製造方法に関する。酸化セリウム粒子を含有する水性酸化セリウムスラリーは、シリカを主成分とする基板、例えば水晶、フォトマスク用石英ガラス、半導体デバイスの有機膜、低誘電率膜、層間絶縁膜の研磨、トレンチ分離、ガラス製ハードディスク等の研磨剤として高精度に平滑な研磨表面が効率的に得ることができるため、最終仕上げ用研磨剤として有用である。【解決手段】 セリウム化合物を常温から昇温して400〜1200°Cの温度範囲まで加熱を行い酸化セリウム粒子を製造する方法であり、昇温過程で加湿したガスを供給しながら加熱する段階を経由する酸化セリウム粒子の製造方法。加湿したガスが0.5〜0.8のH2O/(H2O+ガス)分圧比を有する製造方法。ガスが酸素ガス、酸素と窒素の混合ガス、又は空気である製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
セリウム化合物を常温から昇温して400〜1200°Cの温度範囲まで加熱を行い酸化セリウム粒子を製造する方法であり、昇温過程で加湿したガスを供給しながら加熱する段階を経由する酸化セリウム粒子の製造方法。
IPC (4件)：
C01F17/00 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304
FI (5件)：
C01F17/00 A ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z ,  H01L21/304 622B
Fターム (15件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA06 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17 ,  4G076AA02 ,  4G076AB09 ,  4G076BA39 ,  4G076BA40 ,  4G076BD02 ,  4G076CA04 ,  4G076CA26 ,  4G076DA30
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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