特許
J-GLOBAL ID:200903082983675699

電極形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 村井 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-131220
公開番号(公開出願番号):特開平7-321519
出願日: 1994年05月21日
公開日(公表日): 1995年12月08日
要約:
【要約】【目的】 移動用乃至携帯用通信機器等に用いられている誘電体フィルタ等のセラミック誘電体ブロックに付着力の高い電極を効率的に形成する。【構成】 セラミック誘電体ブロックの全面に導電性の良好な無電解銅鍍金膜を無電解銅鍍金工程#7により形成し、該無電解銅鍍金膜上にはんだ付着性の良好なはんだ又は錫鍍金膜を形成した後、第1及び第2の鍍金膜をある種のサンドブラスト加工を行うパウダービーム加工工程#15で部分的に除去して所望のパターンを形成するものである。
請求項(抜粋):
セラミック誘電体ブロックの全面に導電性の良好な第1の金属膜を無電解鍍金により形成し、該第1の金属膜上にはんだ付着性の良好な第2の金属膜を形成した後、第1及び第2の金属膜をサンドブラスト加工で部分的に除去して所望のパターンを形成したことを特徴とする電極形成方法。
IPC (5件):
H01P 11/00 ,  C23C 18/31 ,  C25D 5/54 ,  H01P 1/205 ,  H01P 7/04
引用特許:
審査官引用 (13件)
  • 特開平4-185103
  • 同軸型誘電体共振器の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-306052   出願人:ソニー株式会社
  • 誘電体フィルタの製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-276055   出願人:三洋電機株式会社
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