相変化メモリデバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之 , 上杉浩 , 山崎貴明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-521273
公開番号（公開出願番号）：特表2009-545095
出願日： 2007年07月26日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：

メモリセル(2)を用いた相変化メモリデバイスは、相変化メモリ要素(3)及び選択スイッチ(4)によって形成される。それのための相変化メモリ要素(3)及びそれのための選択スイッチ(4)によって形成される基準セル(2a)は、読み取り対象のメモリのグループ(7)に関連する。メモリセルのグループの電気量は、基準セルの同種の電気量と比較される。これにより、メモリセルの特性においてドリフトを補償する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

相変化メモリデバイスにおいて、メモリセル(2)の複数のグループ(7)によって形成されるメモリアレイ(1)を備え、前記メモリセルは、行と列に配置され、ワードライン(6)とデータビットライン(5)の交差点で接続され、各メモリセルは、相変化メモリ要素(3)及び選択スイッチ(4)を具備し、さらに、前記相変化メモリデバイスは、複数の基準セル(2a乃至2c)を具備し、各基準セル(2a乃至2c)が、それのための相変化メモリ要素(3a乃至3c)及びそれのための選択スイッチ(4a乃至4c)を具備し、メモリセルの少なくとも一つのグループ(7)に関連していることを特徴とする相変化メモリデバイス。

IPC (4件)：

G11C 13/00 , H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 45/00

FI (4件)：

G11C13/00 A , H01L27/10 448 , H01L27/10 481 , H01L45/00 A

Fターム (5件)：

5F083FZ10 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083LA03 , 5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (2件)

メモリ用相変化アクセス装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-522564 出願人：オヴォニクス,インコーポレイテッド
相変化メモリデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-044208 出願人：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル, オヴォニクスインコーポレイテッド

審査官引用 (1件)

メモリ用相変化アクセス装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-522564 出願人：オヴォニクス,インコーポレイテッド

前のページに戻る