メモリ用相変化アクセス装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-522564
公開番号（公開出願番号）：特表2007-501519
出願日： 2004年07月12日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

メモリは、カルコゲナイド材料を用いて形成されたアクセス装置を有する。アクセス装置は、アクセスされた対応メモリ素子の読み出しを妨害するスナップバック電圧を生じない。相変化メモリ素子の場合、スナップバック電圧は、層変化メモリ素子の閾値電圧よりも小さい。

請求項（抜粋）：

カルコゲナイドアクセス装置を形成するステップを有する方法であって、前記アクセス装置は、該アクセス装置によって選択されたメモリ素子の読み出しの際に、メモリ素子に保管されたデータを妨害しないよう十分に小さなスナップバック電圧を有する、方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , G11C 13/00 , H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 , G11C13/00 A , H01L45/00 A

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-087765
特開昭63-087765
プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-599033 出願人：アリゾナボードオブリージェンツ

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