特許
J-GLOBAL ID：200903082989021623

巨大磁気抵抗効果素子センサ

発明者：
佐々木 義人

佐々木 義人 について

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長谷川 直也

長谷川 直也 について

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牧野 彰宏

牧野 彰宏 について

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徳永 一郎

徳永 一郎 について

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菊池 誠二

菊池 誠二 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053717
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256620
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、低外部磁界で高抵抗変化を示す巨大磁気抵抗効果素子を用いて磁気センサを構成し、抵抗変化分が磁化と電流のなす角度に依存しないスピンバルブ素子などであっても差動型やブリッジ型のセンサを組むことができるとともに、高感度なものを得ることができる巨大磁気抵抗効果素子センサを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、磁化反転がピン止めされた少なくとも一層のピン止め強磁性層32、38と、磁化が外部の磁界に対して自在に反転する少なくとも一層のフリー強磁性層34、40とを具備する磁気抵抗効果多層膜35、41を少なくとも複数並列させて配置し、それぞれのピン止め強磁性層の磁化の向きをほぼ正反対向きとしてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
磁化反転がピン止めされた少なくとも一層のピン止め強磁性層と、磁化が外部の磁界に対して自在に反転する少なくとも一層のフリー強磁性層とを具備する磁気抵抗効果多層膜を少なくとも複数並列させて配置し、それぞれのピン止め強磁性層の磁化の向きをほぼ正反対向きとしてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/08
FI (3件)：
H01L 43/08 Z ,  H01F 10/08 ,  G01R 33/06 R
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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