特許
J-GLOBAL ID：200903083017295550

半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置

発明者：
蛭川 秀一

蛭川 秀一 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384511
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188478
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 高出力・高信頼性・長寿命な半導体レーザ装置およびその製造方法を得ること。【解決手段】 650°Cの成長温度で、多重歪量子井戸活性層105のGaAsPからなるバリア層を積層した直後に、AlGaAsからなる第二上ガイド層126を積層する。この第二上ガイド層126はP系層に適した成長温度である650°Cのままで成長させて、上記バリア層からのPの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層126との界面の粗さの大きさを20Å以下にまで下げる。その後、第一上ガイド層106を積層する。この第一上ガイド層106の成長温度は、成長開始時は650°Cであるが、成長と同時に成長温度の上昇を開始して、成長終了時まで徐々に昇温して、成長終了時に750°Cにする。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、少なくとも、第一導電型の下クラッド層、下ガイド層、井戸層とバリア層からなる量子井戸活性層、上ガイド層および第二導電型の上クラッド層を順次設けた半導体レーザ装置において、上記複数の層のうち少なくとも一つの層はV族元素としてPを含むIII-V族化合物半導体からなるP系層であり、このP系層に隣接する層は、V族元素としてPを含まずAsを含むIII-V族化合物半導体からなるAs系層であり、上記P系層と上記As系層との間の界面の粗さが20Å以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  G11B 7/125
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  G11B 7/125 A
Fターム (18件)：
5D119AA33 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5D119NA04 ,  5D789AA33 ,  5D789BA01 ,  5D789FA05 ,  5D789FA17 ,  5D789NA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (5件)
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