特許
J-GLOBAL ID：200903091069221638
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079020
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340585
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 本発明は簡便な方法で製造することが可能で、レーザ特性が安定している、リッジ導波型ストライプ構造を有する半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 表面が低次の面方位に対してオフアングルを有する基板上に、活性層を有する化合物半導体層、該化合物半導体層の上に形成され且つ電流が注入されるストライプ領域に対応する領域に開口部を有する選択成長保護膜、および該開口部を覆うように形成されたリッジ型化合物半導体層を有することを特徴とする半導体発光装置。
請求項（抜粋）：
表面が低次の面方位に対してオフアングルを有する基板上に、活性層を有する化合物半導体層、該化合物半導体層の上に形成され且つ電流が注入されるストライプ領域に対応する領域に開口部を有する選択成長保護膜、および該開口部を覆うように形成されたリッジ型化合物半導体層を有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01S 3/18 673
, H01L 33/00
H01S 3/18 673
, H01L 33/00 A
