特許
J-GLOBAL ID：200903083042820170

成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体

発明者：
福島 講平

福島 講平 について

, 
佐藤 潤

佐藤 潤 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-103340
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281082
出願日： 2006年04月04日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】縦型熱処理装置を用いて第1の原料ガスと第2の原料ガスとを交互に供給して基板上に薄膜を成膜するにあたり、膜厚について面内均一性の更なる向上を図ることの技術を提供すること。【解決手段】反応容器内に第1の原料ガスを供給して、当該基板の表面に第1の原料ガスを吸着させ、次いで反応容器内に第1の原料ガスと反応する第2の原料ガスを供給し、こうして反応容器内に供給される原料ガスを第1の原料ガスと第2の原料ガスとの間で複数回切り替える工程において、前記反応容器内に前記第1の原料ガス及び前記第2の原料ガスの少なくとも一方の原料ガスを供給しているときに、前記反応容器内に水素ガスを供給する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
複数の基板を基板保持具に互いに並列に保持させて反応容器内に搬入し、反応容器内を加熱すると共に処理ガスを供給して基板に対して成膜を行う方法において、 反応容器内に第1の原料ガスを供給して、当該基板の表面に第1の原料ガスを吸着させ、次いで反応容器内に第1の原料ガスと反応する第2の原料ガスを供給し、こうして反応容器内に供給される原料ガスを第1の原料ガスと第2の原料ガスとの間で複数回切り替える工程と、 前記反応容器内に前記第1の原料ガス及び前記第2の原料ガスの少なくとも一方の原料ガスを供給しているときに、前記反応容器内に水素ガスを供給する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/42
FI (4件)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/455 ,  C23C16/42
Fターム (37件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA11 ,  4K030KA04 ,  5F045AA10 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EH12 ,  5F045EM10 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-141045   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (1件)

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