特許
J-GLOBAL ID：200903062239903810

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者：
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

, 
周 保華

周 保華 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-048059
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049809
出願日： 2005年02月23日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 原料ガスを間欠的に供給して薄膜を堆積させる際に、その膜質を高く維持することができると共に、成膜レートを大幅に向上させることができる成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器内に原料ガスと支援ガスとを間欠的に交互に供給して活性化された前記支援ガスを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、前記原料ガスの供給と同時に前記支援ガスを供給する。これにより、堆積される薄膜の膜質を高く維持することができると共に、成膜レートを大幅に向上させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空引き可能になされた処理容器内に原料ガスと支援ガスとを間欠的に交互に供給して活性化された前記支援ガスを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、 前記原料ガスの供給と同時に前記支援ガスを供給するようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L21/318 B ,  C23C16/34 ,  H01L21/31 C
Fターム (39件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (8件)
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