特許

J-GLOBAL ID：200903083066770760

誘電体の製造方法

発明者： 鯉沼 秀臣 ,  脇坂 寿幸 ,  知京 豊裕 ,  宮本 明 ,  小西 義則 ,  米澤 喜幸 ,  大沢 通夫
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  富士電機アドバンストテクノロジー株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-155771
公開番号（公開出願番号）：特開2004-353072
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】人体に悪影響を与えることなく、鉛系の強誘電体に劣らない特性を有する非鉛、非ビスマス系強誘電体として、SnTiO3誘電体を容易に製造する方法を提供する。【解決手段】ペロブスカイト構造をなすSnTiO3誘電体を製造するための方法であって、SnTiO4をターゲットとするパルスレーザー堆積法により製造されることを特徴とする誘電体の製造方法。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト構造をなすSnTiO3誘電体を製造するための方法であって、SnTiO4をターゲットとするパルスレーザー堆積法により製造されることを特徴とする誘電体の製造方法。

IPC (4件)：

C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01B3/12 ,  H01L27/105

FI (7件)：

C23C14/08 K ,  C23C14/28 ,  H01B3/12 303 ,  H01B3/12 304 ,  H01B3/12 320 ,  H01B3/12 326 ,  H01L27/10 444C

Fターム (20件)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  5F083FR00 ,  5F083JA14 ,  5F083PR22 ,  5G303AA01 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB31 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303DA01