特許
J-GLOBAL ID:200903083072801723
金属酸化物薄膜の成膜方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
阪本 善朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-103491
公開番号(公開出願番号):特開2000-297367
出願日: 1999年04月12日
公開日(公表日): 2000年10月24日
要約:
【要約】【課題】 TiO2 膜等の金属酸化物薄膜の光学的吸収を低減する。【解決手段】 金属Ti等のターゲット3を基板Wに対向させ、減圧チャンバ1内にArガスとO2 ガスを導入し、H2 O導入ライン7から水分を添加して、ターゲット3に電圧を印加してスパッタリングを行なう。水分の添加によってスパッタリング粒子の酸化が促進されるため、基板Wに成膜される金属酸化物薄膜は吸収の少ない高品質なものとなる。
請求項(抜粋):
減圧雰囲気中の基板にターゲットのスパッタリング粒子を被着させて金属酸化物薄膜を成膜する工程を有し、前記減圧雰囲気中に水分を添加することで前記金属酸化物薄膜の光学的吸収を低減することを特徴とする金属酸化物薄膜の成膜方法。
IPC (3件):
C23C 14/34
, C23C 14/08
, G02B 5/28
FI (3件):
C23C 14/34 M
, C23C 14/08 E
, G02B 5/28
Fターム (10件):
2H048GA03
, 2H048GA54
, 2H048GA60
, 4K029BA43
, 4K029BA48
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA06
, 4K029EA03
, 4K029EA05
引用特許:
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