特許
J-GLOBAL ID：200903097232644728

酸化物薄膜の成膜方法

発明者：
鈴木 康之

鈴木 康之 について

, 
安藤 謙二

安藤 謙二 について

, 
枇榔 竜二

枇榔 竜二 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-194329
公開番号（公開出願番号）：特開平9-025571
出願日： 1995年07月06日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【目的】 Al2 O3 膜等の酸化物薄膜に酸素不足が発生するのを防ぐ【構成】 減圧チャンバ1内の基板W1 とAlターゲット3の間にRF電源4の高周波電圧とDC電源5の直流電圧を印加して発生するスパッタリング粒子を基板W1 に被着させ、Al2 O3 膜を成膜する。減圧チャンバ1内にArのスパッタリングガスとO2 の反応性ガスを導入するとともに、H2 OとHeガスを導入してAlの酸化を促進する。
請求項（抜粋）：
減圧雰囲気中の基板にターゲットのスパッタリング粒子を被着させて酸化物薄膜を成膜する工程を有し、前記減圧雰囲気に、HeガスおよびNeガスの少なくとも一方と水分を添加することを特徴とする酸化物薄膜の成膜方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/44 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/08 ,  C23C 14/08
FI (5件)：
C23C 14/34 M ,  C23C 14/44 ,  G02B 5/08 ,  C23C 14/08 A ,  G02B 1/10
引用特許：
出願人引用 (8件)
  • 特開昭62-154676
  • 特開平4-242017
  • 特開平2-255507
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審査官引用 (13件)
  • 特開昭62-154676
  • 特開昭62-154676
  • 特開平4-242017
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