特許

J-GLOBAL ID：200903083085532950

積層構造電極、その形成方法、及び圧電アクチュエータ

発明者： 秋山 善一 ,  明渡 純
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  経済産業省産業技術総合研究所長
代理人 (1件)： 高野 明近 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336700
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156351
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 圧電膜/電極界面での剥離を防ぐ為の適正化された膜厚からなる電極膜を提供する。【解決手段】 PZT圧電セラミックス微粒子13をキャリアガス中に浮遊させエアロゾル化し、このエアロゾルをノズル15により高速で基板ホルダー17上の基板上に噴射して膜形成する。ガスデポジションPZT圧電セラミックスは、堆積後の600°C以上の熱処理による強誘電特性、その後の分極処理により圧電性が出現する。基板(下地)はガスデポジションPZT膜と強固な密着力を発揮出来ることが要求される。ガスデポジション膜と下地との密着力は、初期における衝突粒子が下地に食い込むアンカーリング効果にて強固な密着がなされる。十分な食い込みを許容する下地電極膜厚(0.15μm以上)とすることで、強固な密着力が得られる。

請求項（抜粋）：

電極膜を配置したSi基板上にガスデポジション法で圧電体膜を形成してなる積層構造電極において、前記電極膜は1種以上の材料からなり、膜厚が0.15μmより厚いことを特徴とする積層構造電極。

IPC (4件)：

H01L 41/09 ,  B81B 3/00 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22

FI (4件)：

B81B 3/00 ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-142757   出願人：ローム株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232509   出願人：株式会社東芝
• 誘電体積層部品とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-098742   出願人：オリンパス光学工業株式会社