電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337875
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178024
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】電界効果型トランジスタにおいて、ゲート-ドレイン間の耐圧を大きく向上させると共に利得を大きく改善する。【解決手段】 GaAsよりなる半絶縁性基板10の上にn型のGaAsよりなる導電層11が形成され、該導電層11の上にはn+ 型のGaAsよりなる一対のコンタクト領域12が形成されている。左側のコンタクト領域12の上にはソース電極13が形成され、右側のコンタクト領域12の上にはドレイン電極14が形成されている。導電層11における一対のコンタクト領域12同士の間にはゲートリセス領域15が形成され、該ゲートリセス領域15にはゲート電極16が形成されている。導電層11のゲートリセス領域15には凹部18が形成されており、該凹部18のゲート電極16側の壁面は、ゲート電極16のドレイン電極14側の側面と面一であるか又はゲート電極16のドレイン電極14側の側面から突出している。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された導電層と、前記導電層の上における所定領域にそれぞれ形成され、前記導電層とオーミック接合するソース電極及びドレイン電極と、前記導電層の上における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成され、前記導電層とショットキー接合するゲート電極と、前記導電層における前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に形成された凹部とを備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭52-057786
特開昭63-187665
特開昭64-051666

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