Ti-W系スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101427
公開番号（公開出願番号）：特開平5-295531
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：

【要約】【目的】半導体素子の電極、コンタクト部またはバリア層等を形成する際に用いるターゲット材として好適な高純度かつ高品質のTi-W系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【構成】Ti-W拡散相から成る連続マトリックス中に、粒径50μm以下のTi相および粒径20μm以下のW相が分散した微細な混合組織を有する。また混合組織は、重量比で5〜20%のTiと残部Wおよび不可避的不純物とから成り、不可避的不純物としてのAlの含有量が1ppm以下である。

請求項（抜粋）：

Ti-W拡散相から成る連続マトリックス中に、粒径50μm以下のTi相および粒径20μm以下のW相が分散した微細な混合組織を有すること特徴とするTi-W系スパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , C23C 14/14

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-264640
特開平3-107453
特開平2-077575

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