電界効果トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-091170
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289844
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】高誘電率であるとともに界面特性が良好なゲートスタックを有するMOSトランジスタを提供する。【解決手段】 Si半導体基板1を用いたチャネル上に導電性酸化物をゲート電極4に、SiO2、シリケート、金属酸化物あるいは導電性酸化物とSiとの界面反応層、SiO2との界面反応層から選ばれた一種をゲート絶縁層3に用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。望ましくは導電性酸化物がSrRuO3などのアルカリ土類あるいは希土類から選ばれた少なくとも一種を含有するか、またペロブスカイト構造を有する。

請求項（抜粋）：

Si基板にソース及びドレイン領域を設け、そのソース、ドレイン領域間上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けてなる電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極に導電性酸化物を用い、その導電性酸化物にアルカリ土類あるいは希土類から選ばれた少なくとも一種を含有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/316 , H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 21/28 301 Z , H01L 21/316 A , H01L 29/78 301 G , H01L 29/62 G

Fターム (38件)：

4M104AA01 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF12 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE06 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF10 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG30 , 5F140BK13 , 5F140BK29 , 5F140CA03 , 5F140CC03 , 5F140CC12

引用特許：

審査官引用 (5件)

電界効果トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-210732 出願人：日本電気株式会社
高密度Pt系金属含有金属導電性酸化物およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-048277 出願人：真空冶金株式会社
ランタン系ペロブスカイト型複合酸化物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-111609 出願人：北興化学工業株式会社

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