特許

J-GLOBAL ID：200903083187647728

非極性(Al、B、In、Ga)N量子井戸

発明者： クレイブン, マイケル ディー. ,  デンバース, スティーブン ピー.
出願人/特許権者： ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア ,  独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (4件)： 清水 守 ,  山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-512863
公開番号（公開出願番号）：特表2007-524983
出願日： 2003年12月11日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

非極性a面GaN/(A1、B、In、Ga)N多重量子井戸(MQW)を製造する方法。a面MQWは、有機金属化学気相成長法(MOCVD)によって適切なGaN/サファイアテンプレート層上に成長し、井戸幅は20Å〜70Åの範囲である。a面MQWからの室温光ルミネセンス(PL)放射エネルギーは、自己無頓着ポアソン-シュレディンガー(SCPS)計算を使用してモデリングされた正方井戸傾向を伴った。最適PL放射強度は、a面MQWについて52Åの量子井戸幅で得られる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体デバイスを形成する方法であって、以下: (a)1以上の窒化ガリウム(GaN)層を基板上に成長させる工程;および (b)1以上の非極性(Al、B、In、Ga)N層を、該GaN層上に成長させ、幅が約20Å〜約70Åの範囲の少なくとも1つの量子井戸を形成する工程、を包含する方法。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L29/06 601W ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Fターム (26件)：

5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F152LL03 ,  5F152LL04 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LL13 ,  5F152LM08 ,  5F152LN17 ,  5F152MM16 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 金属・有機化学気相成長によって成長した非極性a平面窒化ガリウム薄膜
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-586402   出願人：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア