半導体装置製造用乾式エッチング装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277619
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189538
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ13が置かれるサセプター12、該サセプター12に設置された冷却手段及びRF電界を印加しプラズマを生成するRF電極とを備え、高集積、高精密を要する半導体装置製造用乾式エッチング装置において、ウェーハ内でのエッチング率を調節し、エッチング不均一性による工程不良を減らす。【解決手段】前記RF電極のうち上部電極41の形態を調節し、該RF電極上下の対向面にわたり電極の間の間隔を部分的に異なるしめる。ウェーハ13に対向する面でエッチングガスの単位面積当り供給量を部分的に異なるようにしたガス分散器を備える。前記RF電極のうち、電源と連結される電極の電極面を複数個の領域に分け、各領域には面積当たり印加されるRF電力が差別化されるようそれぞれのRF電源16を連結する。サセプター12を複数の領域に分け、各領域はそれぞれ異なる温度を有するように前記冷却手段の設置分布を異なるようにする。

請求項（抜粋）：

ウェーハが置かれるサセプターと、該サセプターに設置された冷却手段と、RF電界を印加してプラズマを生成させるRF電極とを備えた半導体装置製造用乾式エッチング装置において、前記RF電極のうち、上部電極の形態を調節して前記RF電極上下の対向面にわたって電極の間の間隔を部分的に異なるようにしたことを特徴とする半導体装置製造用乾式エッチング装置。

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-196319
特開平2-143423
プラズマエッチング用電極板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-361434 出願人：イビデン株式会社

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