特許
J-GLOBAL ID：200903083192292644

半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法

発明者：
鈴木 康利

鈴木 康利 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-166940
公開番号（公開出願番号）：特開2000-004028
出願日： 1998年06月15日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 低コストで寸法制御精度の良好な半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法を提供する。【解決手段】 p形シリコンから成る支持基板3上の表面において、梁構造体4のアンカー部4a並びに固定電極10及び12を形成する部分に選択的にn形層16を形成してから、陽極化成を施すことによりポーラスシリコン層3aを形成する。そして、ポーラスシリコン層3a上に対してLTSiN膜17でパターニングしてシリコン層18を形成してから、梁構造体4並びに固定電極10及び12の形状にエッチングを施し、LTSiN膜17をマスクとして、ポーラスシリコン層3aを酸化させた酸化層3bを犠牲層としてエッチングすることで梁構造体4並びに固定電極10及び12を形成する。
請求項（抜粋）：
支持基板上に電気的に絶縁された状態で支持され、力学量の印加に応じて変位する可動電極を一体的に有した半導体材料製のセンシング用構造体と、前記支持基板上に電気的に絶縁された状態で固定され、前記可動電極の変位に応じて当該可動電極との間の距離が変化するように設けられた半導体材料製の固定電極とを備え、前記可動電極及び固定電極間の距離変化に基づいて印加力学量を検出する半導体力学量センサを製造する方法において、前記支持基板上の表面に形成されているp形半導体層中における前記センシング用構造体の支持部及び前記固定電極を形成する部分にn形半導体層を選択的に形成する工程と、前記支持基板上の表面部分に陽極化成を施すことにより多孔質シリコン層を形成する工程と、前記多孔質シリコン層の上に所定のパターニングを施した後シリコン層を形成して前記センシング構造体及び前記固定電極の形状にエッチングを施す工程と、前記多孔質シリコン層を犠牲層としてエッチングすることにより、前記センシング構造体び前記固定電極を形成する工程とからなることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84 ,  G01L 9/12
FI (2件)：
H01L 29/84 Z ,  G01L 9/12
Fターム (18件)：
2F055AA40 ,  2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055CC12 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA22 ,  4M112CA26 ,  4M112CA36 ,  4M112DA02 ,  4M112DA12 ,  4M112EA04 ,  4M112FA11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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