エピタキシャル堆積プロセス及び装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-553249
公開番号（公開出願番号）：特表2009-525611
出願日： 2007年01月16日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

ドライエッチングプロセスに続いてエピタキシャル堆積プロセスを含む、エプタキシャル堆積プロセスが開示される。ドライエッチングプロセスは、洗浄すべき基板を処理チャンバ内に配置して表面酸化物を除去するステップを含む。ガス混合物をプラズマキャビティに導入し、ガス混合物を励起してプラズマキャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させる。反応性ガスは、処理チャンバに入り、基板と反応し、薄膜を形成させる。基板を加熱して薄膜を蒸発させ、エピタキシー表面をさらす。エピタキシー表面は、実質的に酸化物を含まない。その後、エピタキシャル堆積を用いてエピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エピタキシャル堆積法であって: 処理チャンバ内に基板を導入するステップと; プラズマキャビティ内にガス混合物を導入するステップと; 該ガス混合物を励起して、該キャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させるステップと; 該処理チャンバ内に該反応性ガスを導入するステップと; 該基板を該反応性ガスで処理して、エピタキシー表面をさらすステップと; 該エピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成するステップと; を含む、前記方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , C30B 25/02 , C23C 16/44

FI (4件)：

H01L21/205 , H01L21/302 102 , C30B25/02 P , C23C16/44 A

Fターム (47件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB01 , 4G077DB05 , 4G077DB16 , 4G077EA02 , 4G077EE03 , 4G077EG25 , 4G077EG26 , 4G077HA12 , 4G077TB03 , 4G077TC06 , 4G077TC17 , 4G077TK10 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA04 , 4K030KA49 , 5F004AA14 , 5F004BA03 , 5F004BA06 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BC05 , 5F004BC06 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004DA00 , 5F004DA17 , 5F004DB03 , 5F004EA34 , 5F004FA08 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045EB08 , 5F045EB13 , 5F045EB15 , 5F045EE13 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045HA03 , 5F045HA23 , 5F045HA25

引用特許：

審査官引用 (9件)

基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-086384 出願人：株式会社日立国際電気
ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-054443 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開平4-336426

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