特許
J-GLOBAL ID：200903081440861151
電子装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-297859
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115860
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 モフォロジーおよび膜質が良好な遷移金属シリサイド薄膜をSi基板上に安定して形成する。【解決手段】 (100)面方位または(111)面方位のSi基板1の表面の自然酸化膜2をソフトエッチングにより均一に除去し、Si基板1の表面にSi2×1再配列構造またはSi7×7再配列構造を有する二原子層または三原子層の欠陥層3を露出させる。次に、Si基板1を大気にさらさずに、スパッタリング法などにより欠陥層3上にTi薄膜4およびCo薄膜5を順次形成する。Ti薄膜4の厚さは、(100)面方位の場合は1.0nm以上3.5nm未満、(111)面方位の場合は1.5nm以上3.5nm未満とする。この後、Si基板1を例えば500°Cで熱処理し、Ti薄膜4との反応により欠陥層3を除去し、この欠陥層3が除去されたSi基板1上にCoSi2 薄膜6をエピタキシャル成長させる。
請求項（抜粋）：
(111)面方位のシリコン基板と、上記シリコン基板上にエピタキシャル成長された、その表面がほぼ平坦な遷移金属シリサイド薄膜とを有することを特徴とする電子装置。
IPC (6件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, H01L 21/3065
, H01L 21/768
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/285 301 S
, H01L 21/285 301 T
, H01L 21/285 S
, H01L 21/302 B
, H01L 21/90 C
, H01L 29/78 301 Y
