特許

J-GLOBAL ID：200903083233382556

半導体装置

発明者： 清水 悠佳 ,  小野瀬 秀勝
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-183917
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021461
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】ゲートへのノイズマージンが大きい接合FETを提供する。【解決手段】接合FET1は、炭化珪素からなるn+基板12の主面に形成された接合FET1のドリフト領域のn-層11と、ドリフト領域のn-層11に接合して形成されたゲート領域のp+層9と、n+基板12の上層に設けられたゲート電極14と、を有している。この接合FET1は、さらに、n+基板12の主面に形成され、ゲート領域のp+層9とゲート電極14とを電気的に接続するpnダイオード2、3を内蔵している。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

炭化珪素を母材とする半導体素子には、前記半導体素子のチップ上に複数のダイオードが内蔵されており、 前記複数のダイオードのうちの第1ダイオードはアノードが前記半導体素子のゲートに、カソードが前記チップのゲートパッドに接続されており、 前記複数のダイオードのうちの第2ダイオードはカソードが前記半導体素子の前記ゲートに、アノードが前記チップの前記ゲートパッドに接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/80 ,  H01L 27/088

FI (6件)：

H01L29/80 E ,  H01L29/80 C ,  H01L27/06 F ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/80 V ,  H01L27/08 102E

Fターム (25件)：

5F048AA05 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA14 ,  5F048BD07 ,  5F048BE03 ,  5F048BE05 ,  5F048BE09 ,  5F048BF18 ,  5F102FA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB04 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR08 ,  5F102GR12 ,  5F102GS03 ,  5F102GT03 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-297026   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (4件)

• 絶縁ゲート型電界効果半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-172600   出願人：松下電工株式会社
• 炭化珪素半導体からなる半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-096435   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-259661   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-314950   出願人：川崎製鉄株式会社