特許
J-GLOBAL ID：200903083239823856
半導体力学量センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181435
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026778
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 梁構造体を有する半導体加速度センサにおいて、梁構造体と固定部の付着を低減する。【解決手段】 梁構造体2Aと固定部2Bの表面をシリコン窒化膜で覆うようにし、また固定部2Bにおける梁部4、5と対向する部分に4つの突起51を形成し、さらに固定電極9a〜9d、11a〜11d、13a〜13d、15a〜15dにおける可動電極7a〜7d、8a〜8dと対向する部分のそれぞれに突起52を形成することによって、梁構造体2Aと固定部2Bの付着を防止する。
請求項（抜粋）：
基板(1)と、この基板上に配置されシリコン基板を分離して形成された可動部(2A)と固定部(2B)とを備え、前記可動部は、可動電極(7a〜7d、8a〜8d)を有する質量部(6)が、前記基板上に形成されたアンカー部(3a〜3d)により梁部(4、5)を介して支持され、力学量により変位するように構成されており、前記固定部は、前記基板上に固定され前記可動電極と対向する形状の固定電極(9a〜9d、11a〜11d、13a〜13d、15a〜15d)を有しており、前記可動部と前記固定部の対向するそれぞれの表面が、前記可動部と前記固定部の付着を防止する絶縁膜(42)にて覆われていることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 1/14
, G01P 15/125
H01L 29/84 Z
, G01L 1/14 A
, G01P 15/125
