特許

J-GLOBAL ID：200903083256328753

加工装置及び方法

発明者： 川上 英悟 ,  太田 裕久 ,  中村 卓 ,  春見 和之 ,  時田 俊伸
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-266195
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081070
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】 スループットの向上や装置の小型化をもたらす加工装置及び方法を提供する。【解決手段】 凹凸のパターンをレジストに転写する加工方法であって前記パターンを形成したモールドを基板上の前記レジストに押し付けるステップと、前記モールドを介して前記レジストを感光する光を前記レジストに照射するステップと、前記照射ステップ中に前記モールド及び前記基板に相対的に加振するステップと、前記モールドを前記レジストから離型するステップとを有することを特徴とする加工方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

凹凸のパターンをレジストに転写する加工方法であって、 前記パターンを形成したモールドを基板上の前記レジストに押し付けるステップと、 前記モールドを介して前記レジストを感光する光を前記レジストに照射するステップと、 前記照射ステップ中に前記モールド及び前記基板に相対的に加振するステップと、 前記モールドを前記レジストから離型するステップとを有することを特徴とする加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  B29C 39/36 ,  B29C 39/02 ,  B29C 39/22 ,  B29C 59/02

FI (5件)：

H01L21/30 502D ,  B29C39/36 ,  B29C39/02 ,  B29C39/22 ,  B29C59/02 Z

Fターム (26件)：

4F202AA44 ,  4F202AF01 ,  4F202AH33 ,  4F202CA01 ,  4F202CA09 ,  4F202CA19 ,  4F202CB01 ,  4F202CK90 ,  4F202CM90 ,  4F204AA44 ,  4F204AH33 ,  4F204EA04 ,  4F204EB01 ,  4F204EK07 ,  4F204EW34 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG01 ,  4F209AH73 ,  4F209AH75 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  5F046AA28

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078072   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立インダストリイズ
• 特許第3450631号公報
  
• マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190809   出願人：キヤノン株式会社