積層型マルチチップ半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-201072
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017638
出願日： 2001年07月02日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】複数の半導体素子を積層した際に各半導体素子から発生する熱の移動を制御することのできる積層型マルチチップ半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】インターポーザ1上に積層して搭載された複数の半導体素子2A,2Bの間にペルチェ素子8を配置し、ペルチェ素子8の上側の半導体素子2Bから下側の半導体素子2Aへの熱の移動(伝達)を促進する。また、ペルチェ素子8を下側の半導体素子2Aとインターポーザ1との間に配置し、上側の半導体素子2Bから下側の半導体素子への熱の移動(伝達)を促進して、全ての半導体素子を効率よく冷却する。

請求項（抜粋）：

配線基板上に積層して搭載された複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置であって、前記複数の半導体素子に対して積層した状態で電子冷却素子を配置したことを特徴とする積層型マルチチップ半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/38 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/38 , H01L 25/08 B , H01L 25/08 Z

Fターム (3件)：

5F036AA01 , 5F036BA33 , 5F036BE01

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029366 出願人：ソニー株式会社
ハイブリッドIC及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-246761 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-310150 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社

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