特許
J-GLOBAL ID：200903083287058860

改善されたしきい電圧およびフラットバンド電圧の安定性を有する相補型金属酸化膜半導体(CMOS)構造およびそれを形成する方法(高k誘電体によるCMOSデバイス形成におけるしきい電圧制御を達成するためのバリア層の選択的実装)

発明者：
ボヤールチュク、ネスター、エイ・ジュニア

ボヤールチュク、ネスター、エイ・ジュニア について

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カブラル、シリル、ジュニア

カブラル、シリル、ジュニア について

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カルティエ、エデュアルト、エイ

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コペル、マシュー、ダブリュ

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フランク、マーティン、エム

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グーセフ、エフゲニ、ピー

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グーハ、スプラティク

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ジャミー、ラジャラオ

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ナラヤナン、ビジェイ

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パルチューリ、ヴァムシ、ケイ

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出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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代理人 (4件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-515066
公開番号（公開出願番号）：特表2008-511971
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】 改善されたしきい電圧およびフラットバンド電圧の安定性を有するCMOS構造を形成する方法およびそれにより生産されたデバイスを提供することにある。【解決手段】 発明の方法は、nFET領域とpFET領域とを有する半導体基板を設けるステップと、高k誘電体の上に絶縁中間層を含む誘電体スタックを半導体基板の上に形成するステップと、pFET領域から絶縁中間層を除去せずに、nFET領域から絶縁中間層を除去するステップと、pFET領域内に少なくとも1つのゲート・スタックを設け、nFET領域内に少なくとも1つのゲート・スタックを設けるステップとを含む。絶縁中間層はAlNまたはAlOxNyにすることができる。高k誘電体は、HfO2、ハフニウム・シリケート、またはハフニウム酸窒化シリコンにすることができる。絶縁中間層は、HCl/H2O2過酸化水素溶液を含むウェット・エッチングによりnFET領域から除去することができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1のデバイス領域と第2のデバイス領域とを有する半導体基板を含み、 前記第1のデバイス領域が、第1の高kゲート誘電体と第1のゲート導体とを含む少なくとも1つの第1のゲート・スタックを含み、 前記第2のデバイス領域が、第2の高kゲート誘電体と、前記高kゲート誘電体の上の絶縁中間層と、前記絶縁中間層の上の第2のゲート導体とを含む少なくとも1つの第2のゲート・スタックを含み、前記絶縁中間層が、前記第1のデバイス領域のしきい電圧およびフラットバンド電圧をシフトせずに、前記第2のデバイス領域のしきい電圧およびフラットバンド電圧を安定化することができる、 相補型金属酸化膜半導体(CMOS)構造。
IPC (4件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/306 D
Fターム (84件)：
5F043AA38 ,  5F043BB25 ,  5F043GG10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BF06 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BA18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF33 ,  5F140BF34 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG35 ,  5F140BG38 ,  5F140BG49 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH35 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6451079号
審査官引用 (4件)
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