特許
J-GLOBAL ID：200903069264910043
異種のゲート絶縁膜を有する半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-329176
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150737
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 異種のゲート絶縁膜を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1及び第2トランジスタ素子を含む半導体素子。第1素子は第1基板領域、第1ゲート電極、及び第1ゲート絶縁膜を含み、第1ゲート絶縁膜は第1基板領域と第1ゲート電極間に位置する。第2素子は第2基板領域、第2ゲート電極、及び第2ゲート絶縁膜を含み、第2ゲート絶縁膜は第2基板領域と第2ゲート電極間に位置する。第1ゲート絶縁膜は誘電定数が8以上である第1高誘電物質膜を含み、同様に、第2ゲート絶縁膜は誘電定数が8以上である第2高誘電物質膜を含む。第2高誘電物質膜は第1高誘電物質膜とは異なる物質である。【選択図】 図7H
請求項（抜粋）：
第1基板領域、第1ゲート電極、及び前記第1基板領域と第1ゲート電極との間に位置する第1ゲート絶縁膜を具備する第1トランジスタと、
第2基板領域、第2ゲート電極、及び前記第2基板領域と第2ゲート電極との間に位置する第2ゲート絶縁膜を具備する第2トランジスタと、を含み、
前記第1ゲート絶縁膜は誘電定数が8以上である第1高誘電物質膜を含み、前記第2ゲート絶縁膜は誘電定数が8以上である第2高誘電物質膜を含み、前記第2高誘電物質膜は前記第1高誘電物質膜とは異なる物質であることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L21/8238
, H01L27/092
, H01L29/78
H01L27/08 321D
, H01L29/78 301G
5F048AA07
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BB06
, 5F048BB07
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB16
, 5F048BB17
, 5F140AA00
, 5F140AA19
, 5F140AB03
, 5F140BD01
, 5F140BD02
, 5F140BD04
, 5F140BD05
, 5F140BD09
, 5F140BD11
, 5F140BD13
, 5F140BD17
, 5F140BE07
, 5F140BE08
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BE17
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF07
, 5F140BF10
出願人引用 (3件)
-
米国特許第6,559,051 B1号公報
-
米国特許第6,621,114 B1号公報
-
米国特許公開第2001-0023120 A1号公報
審査官引用 (12件)
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