特許

J-GLOBAL ID：200903047766812513

半導体装置およびその製造方法

発明者： 門島 勝
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-082174
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289061
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】熱的安定性がある一方、密着性が悪くならない程度の仕事関数を有する金属膜または金属化合物よりなる膜をゲート電極として使用した場合に、しきい値電圧を低く抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】n型MIS素子とp型MIS素子を備えるCMIS素子において、n型MIS素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜9上にケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極10を形成する。一方、p型MIS素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜9上に、酸化アルミニウム膜よりなるしきい値調整膜7を形成する。そして、このしきい値調整膜7上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極11を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板と、 (b)前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 (c)前記ゲート絶縁膜上に形成された絶縁体よりなる膜であって、しきい値電圧を調整するしきい値調整膜と、 (d)前記しきい値調整膜上に形成され、金属を含む材料よりなるゲート電極とを備えたMIS素子を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (6件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301T ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/58 G

Fターム (104件)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB24 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BG02 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CE18

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135400   出願人：株式会社日立製作所
• MIS型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-151536   出願人：松下電器産業株式会社
• ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-142471   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082614   出願人：三菱電機株式会社
• デュアルゲートを有するCMOS型半導体装置形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-107118   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-226330   出願人：株式会社東芝