特許
J-GLOBAL ID：200903083288187957
半導体発光装置
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-259634
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112593
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 ZnSeを含む半導体発光装置において、電極からp側のZnSe層への正孔の注入を円滑に行わしめ、温度特性が格段にすぐれた、素子電圧も低い半導体発光装置を提供することにある。【構成】 本発明の骨子はII族元素としてZnまたはCdを含み、VI族元素としてSまたはSeを含む半導体層を少なくとも発光領域とする半導体発光装置においてp型電極と該半導体層のp側との間に2%以上の歪を有する半導体層からなるコンタクト層を設けたるようにしたものであり、さらにp型電極に隣接したp型コンタクト層とp型II-VI族層との間にII-VI族からなる歪コンタクト層を設けるようにしたものである。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され表面がII族元素及びVI族元素を含む第1の半導体層から成る発光領域と、前記第1の半導体層表面に形成され格子定数が前記基板の格子定数と2%以上異なり、膜厚が臨界膜厚以下である第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成された電極とを有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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