特許

J-GLOBAL ID：200903083315996315

裏面電極型太陽電池素子

発明者： 高橋 宏明 ,  福井 健次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-360142
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164556
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【目的】 光影面積による効率低下を防止するとともにキャリアの再結合損失を防止した太陽電池素子を提供することを目的とする。【解決手段】 p型シリコン基板の受光面側を粗面状にすると共に、裏面側にp+領域とn+領域を形成し、このp+領域とn+領域上に電極を形成した裏面電極型太陽電池素子であって、前記p型シリコン基板の受光面側に針状の微細な突起を多数形成して粗面状にするとともに、この粗面状部に二酸化珪素膜を形成した。

請求項（抜粋）：

p型シリコン基板の受光面側を粗面状にすると共に、裏面側にp+領域とn+領域を形成し、このp+領域とn+領域上に電極を形成した裏面電極型太陽電池素子において、前記p型シリコン基板の受光面側に針状の微細な突起を多数形成して粗面状にするとともに、この粗面状部に二酸化珪素膜を形成したことを特徴とする裏面電極型太陽電池素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 F

Fターム (7件)：

5F051AA03 ,  5F051DA20 ,  5F051EA11 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-107881
  
• 太陽電池素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-041617   出願人：京セラ株式会社
• 光吸収膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-204578   出願人：日産自動車株式会社
• 太陽電池素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-118239   出願人：トヨタ自動車株式会社