特許
J-GLOBAL ID：200903083342923133
半導体搭載用基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041969
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231146
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高密度な導体パターンを有し、且つ、フリップチップボンディングの際の接続信頼性に優れた半導体搭載用基板、及び、その製造方法を提供する。【構成】 絶縁層2の上面と前記導体パターン3の上面が略同一平面を成し、その導体パターン3表面は整面されていること、および、半導体素子4とプリップチップボンディング法によって電気的に接続するための基板であって、( a)基板上の導体パターン非形成部分にメッキレジストとして樹脂絶縁層2を形成する工程( b)前記メッキレジストを形成した基板に対して、そのメッキレジスト上面を越えて無電解めっき被膜析出する工程( c)前記無電解めっき被膜が形成された基板に対して、前記メッキレジストおよび前記無電解めっき被膜の高さが略均一となるよう研磨し整面する工程を含む。
請求項（抜粋）：
基板表面に無電解めっきによって形成され、且つ半導体素子の接続端子とバンプを介して電気的に接続される導体パターンと、この導体パターン間に設けられた樹脂よりなる絶縁層とを有する基板において、前記絶縁層の上面と前記導体パターンの上面が略同一平面を成し、その導体パターン表面は整面されていることを特徴とする半導体搭載用基板。
IPC (4件)：
H05K 1/02
, H05K 1/18
, H05K 3/18
, H05K 3/22
