平面表示装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302539
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131711
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】製造の際の成膜工程を増やすことなく補助容量部を形成できるばかりでなく、容量電極の面積を小さくできる。【解決手段】絶縁基板上に形成された複数本の信号線,これら信号線とそれぞれが略直交する複数本の走査線,信号線と走査線との各交差部近傍にスイッチ素子を介して配置された画素電極13を含むアレイ基板と、このアレイ基板に対向して配置された対向基板と、アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された光変調層と、を備えるものにおいて、アレイ基板は、画素電極13と電気的に接続される第1の電極10と、この第1の電極10に対向する第2の電極5と、第2の電極5上に配置される第1の絶縁膜6と、を含み、第1の絶縁膜6における電極間領域6bは、他の領域6aよりも膜厚が薄く、かつ、不純物イオン濃度が異なっている。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された複数本の信号線,これら信号線とそれぞれが略直交する複数本の走査線,前記信号線と前記走査線との各交差部近傍にスイッチ素子を介して配置された画素電極を含むアレイ基板と、このアレイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された光変調層と、を備える平面表示装置において、前記アレイ基板は、前記画素電極と電気的に接続される第1の電極と、この第1の電極に対向する第2の電極と、この第2の電極上に配置される第1の絶縁膜と、を含み、前記第1の絶縁膜における前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される電極間領域は、他の領域よりも膜厚が薄く、かつ、不純物イオン濃度が異なることを特徴とする平面表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 337 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 337 , H01L 29/78 612 Z

Fターム (72件)：

2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA35 , 2H092JA38 , 2H092JA39 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA24 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA06 , 5C094AA10 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094AA45 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094DA15 , 5C094FB15 , 5C094GB01 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110QQ03 , 5F110QQ05

引用特許：

審査官引用 (4件)

液晶パネルおよび液晶パネル用基板並びに投射型表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-190847 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-291240
アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-036163 出願人：ソニー株式会社

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