特許

J-GLOBAL ID：200903066587407708

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 前川 繁登 ,  一法師 隆志 ,  岩松 俊明 ,  前田 茂伸 ,  金 逸中 ,  塘 一仁 ,  栗山 祐忠 ,  石垣 佳之 ,  浮田 求 ,  堤 聡明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150198
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 導電型の異なるポリシリコン層が接続される構成を有する薄膜トランジスタにおいて、不純物が拡散することによる不具合の発生を防止した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ドレイン6、チャネル7、ソース8は、第2酸化膜4の表面上に、ポリシリコンで一体に形成されている。ドレイン6は、パッド層3(第2の多結晶半導体層)の上面に達するように形成されたコンタクトホール5を介して、パッド層3に接続するように形成されている。そして、コンタクトホール5(開口部)の底部に位置するパッド層3にボロン注入領域BRが形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成され、チャネル層を規定するソース・ドレイン層の一方である第1導電型の第1の多結晶半導体層と、前記絶縁膜内に形成され、前記第1の多結晶半導体層と電気的に接続される第2導電型の第2の多結晶半導体層とを備える薄膜トランジスタであって、前記第2の多結晶半導体層から前記第1の多結晶半導体層への第2導電型不純物の侵入による導電型の改変を防止する導電型改変防止構造を備える薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 616 T ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 21/265 P ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 K

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-277498   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-276658
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-001441   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-370956
  
• 特開平2-119263
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-120366   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-047312   出願人：富士通株式会社
• 配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-035137   出願人：ソニー株式会社