特許

J-GLOBAL ID：200903083360657092

半導体記憶装置及びそのアクセス方法

発明者： 岩瀬 平
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335899
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176185
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】チップサイズの縮小と消費電力の削減が図れるシリアルアクセス型の半導体記憶装置及びそのアクセス方法を提供することを目的としている。【解決手段】メモリセルアレイ20を複数のブロック20-1〜20-4に分割し、各ブロック毎にセンスアンプ22-1〜22-4とシフトレジスタ23-1〜23-4を設けている。最初のサイクルに2回分のデータを読み出してシフトレジスタに転送し、それを出力している間に次のデータを読み出すことにより、スタートアドレスの制約なくシリアルにアクセスすることを特徴としている。センスアンプをブロックの数だけ設ければよいので、センスアンプの数を大幅に削減でき、チップサイズを小さくできるとともに消費電力も削減できる。また、センスアンプのレイアウトがメモリセルのピッチに制約されることがないので、メモリセルサイズを縮小化してもセンスアンプのレイアウトを容易化できる。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイに記憶されたデータをシリアルに読み出す半導体記憶装置において、前記メモリセルアレイを複数のブロックに分割し、前記各ブロック中の複数のカラムでセンスアンプを共用し、前記各センスアンプの出力をシフトレジスタに供給し、最初のロウ、カラムアクセスサイクル中にロウ、カラムアクセスを行って、メモリセルからの読み出しデータをブロック毎に前記各シフトレジスタに転送した後、カラムアドレスをインクリメントしてカラムアクセスを行い、この動作を1回または1回以上行うことにより、センスアンプの数の複数倍のデータを読み出し、パイプライン動作させることにより連続してシリアルに出力することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 17/18 ,  G11C 8/04

FI (2件)：

G11C 17/00 306 ,  G11C 8/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 同期型半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191310   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-226230   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社