不揮発性半導体記憶装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-226230
公開番号（公開出願番号）：特開平9-073797
出願日： 1995年09月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【目的】チップ面積を低減したフラッシュメモリを提供する。【構成】ラッチ回路を各ビット線に設け、センスアンプを複数のビット線に共通に設け、ラッチ回路のMOSトランジスタのゲート長をセンスアンプのものよりも短くした。【効果】センスアンプは主にアナログ動作をし、ラッチ回路は主にデジタル動作をするので、センスアンプには長いゲート長のMOSトランジスタを用い、ラッチ回路には短いゲート長のMOSトランジスタを用いれば、数の多いラッチ回路の占める面積を低減できる。

請求項（抜粋）：

複数のワード線と、該複数のワード線に交差する複数のビット線と、上記複数のワード線のそれぞれ対応するワード線にそのコントロールゲートが接続され、上記複数のビット線のそれぞれ対応するビット線にそのドレインが接続され、それぞれがフローティングゲートを備えたMOSトランジスタからなる複数のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、上記複数のビット線の各ビット線に設けられたラッチ回路と、上記複数のビット線の各ビット線と対応する上記ラッチ回路との間に設けられた第1のスイッチと、上記複数のビット線に共通に設けられたセンスアンプと、上記複数のビット線の各ビット線と上記センスアンプとの間に設けられた第2のスイッチとを具備し、上記複数のメモリセルの選択されたメモリセルからの情報を読み出す際は、上記第1のスイッチはオフ状態とされるとともに、上記選択されたメモリセルと上記センスアンプとの間の上記第2のスイッチはオン状態とされることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (3件)：

G11C 17/00 520 B , G11C 17/00 309 K , G11C 17/00 510 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-040199
半導体不揮発性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-201018 出願人：沖電気工業株式会社
特開平1-184791

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