特許
J-GLOBAL ID：200903083461816744
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319753
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154712
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルの高集積化と低電圧化動作の両立化が困難。【解決手段】 半導体基板にソースおよびドレイン電極用の不純物拡散層を有し、不純物拡散層により規定されるチャネル領域上にはゲート絶縁膜を介して第1の浮遊ゲート電極42を有し、不純物拡散層上にはゲート絶縁膜よりも薄いトンネル絶縁膜を介して第2の浮遊ゲート電極47を有し、第1および第2の浮遊ゲート電極と接続する第3の浮遊ゲート電極51を有し、第3の浮遊ゲート電極上に絶縁膜52を介して制御ゲート電極53を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にソースおよびドレイン電極用の不純物拡散層を有し、該不純物拡散層により規定されるチャネル領域上にはゲート絶縁膜を介して第1の浮遊ゲート電極を有し、前記不純物拡散層上には前記ゲート絶縁膜よりも薄いトンネル絶縁膜を介して第2の浮遊ゲート電極を有し、前記第1および第2の浮遊ゲート電極と接続する第3の浮遊ゲート電極を有し、該第3の浮遊ゲート電極上に絶縁膜を介して制御ゲート電極を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/04
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 621 A
, H01L 27/10 434
