特許
J-GLOBAL ID：200903083472395821
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-230734
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074511
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】パワーMOSFETの特性上重要な課題である、オン抵抗をさらに低減することの出来る半導体装置を提供する。【解決手段】平面形状において多角形の複数のソース領域101がセル状に配置され、各ソースセル103間にU字型ゲート電極100が網目状に配置されたU字型ゲートMOSFETであって、相互に隣合う複数個のソースセルの各角部に跨って共通のベースコンタクト領域102を設けた構成の半導体装置。単位面積当たりのチャネル幅を大きくすることが出来るので、同一面積の素子で比較すれば、素子全体としてのチャネル面積が大きくなり、それによってオン抵抗をさらに低減することが出来る。
請求項（抜粋）：
第1導電型のドレイン領域となる半導体基体と、前記半導体基体の第1主面表面に形成された第2導電型のベース領域と、前記ベース領域表面に形成された第1導電型のソース領域および第2導電型のベースコンタクト領域と、前記ソース領域と前記ベース領域を貫通して形成されたU字型溝の底面および側面に酸化膜が形成され、かつ前記U字型溝に導電物質を埋め込んで形成されたU字型ゲート電極と、前記ソース領域と前記ベースコンタクト領域とに接続されたソース電極と、前記半導体基体に接続されたドレイン電極と、を有し、かつ、平面形状において多角形のソース領域が所定の間隔でセル状に配置され、各ソースセル間に前記U字型ゲート電極が網目状に配置されたU字型ゲートMOSFETであって、前記ベースコンタクト領域が、相互に隣合う複数個のソースセルの角部に跨って形成されたことを特徴とする半導体装置。
FI (4件)：
H01L 29/78 652 S
, H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 652 D
, H01L 29/78 653 A
