特許
J-GLOBAL ID:200903083512491730
真空成膜装置およびそれを用いた成膜方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-329545
公開番号(公開出願番号):特開2001-152346
出願日: 1999年11月19日
公開日(公表日): 2001年06月05日
要約:
【要約】【課題】合成樹脂フィルムに傷や変形を与えずに、かつ省エネルギーで合成樹脂フィルムの温度分布および温度を均一に制御、物理的、化学的に均一な薄膜を形成する真空成膜装置とそれを用いた成膜方法の提供にある。【解決手段】反応蒸着室内にプロセスガス噴出部と電極でなるシャワーヘッド電極22と、合成樹脂フィルム9を加温する平坦状ヒーター19とを具備する真空成膜装置であって、前記ウエブ状合成樹脂フィルム9の下部に所定の間隔をおいてシャワーヘッド電極22が載置され、さらにその下部に前記ヒーターが載置され、該ヒーターの温度を調節する温度調節機構が具備し、該温度調節機構は、赤外線センサー付温度計で合成樹脂フィルム9の表面温度を測定し、前記ヒーターを制御する機構とするものである。
請求項(抜粋):
ウエブ状基板の巻出し・巻取り室と成膜する反応蒸着室でなり、該反応蒸着室内にプロセスガス噴出部と電極でなる成膜手段と、前記ウエブ状基板を加温する加温手段とを具備する真空成膜装置であって、前記ウエブ状基板の下部に所定の間隔をおいて成膜手段が載置され、該成膜手段の下部に加温手段が載置され、該加温手段の温度を調節する温度調節機構が具備されてなることを特徴とする真空成膜装置。
IPC (3件):
C23C 16/46
, C08J 7/06
, C23C 16/54
FI (3件):
C23C 16/46
, C08J 7/06 Z
, C23C 16/54
Fターム (17件):
4F006AA18
, 4F006AA35
, 4F006AA36
, 4F006AA39
, 4F006AA40
, 4F006AB61
, 4F006DA01
, 4K030CA07
, 4K030FA10
, 4K030HA13
, 4K030JA10
, 4K030KA01
, 4K030KA08
, 4K030KA14
, 4K030KA24
, 4K030KA39
, 4K030KA41
引用特許:
出願人引用 (5件)
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特開平4-198480
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堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-350359
出願人:キヤノン株式会社
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特開昭60-067671
-
特開昭56-005971
-
半導体素子の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-289239
出願人:キヤノン株式会社
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審査官引用 (5件)
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特開平4-198480
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堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-350359
出願人:キヤノン株式会社
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特開昭60-067671
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特開昭56-005971
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半導体素子の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-289239
出願人:キヤノン株式会社
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