半導体ウェハの非侵入性電気測定器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下實三 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-532109
公開番号（公開出願番号）：特表2003-512737
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2003年04月02日
要約：

【要約】半導体ウェハプローブアッセンブリ(10)は、半導体ウェハ(14)の背面(30)を支持するように構成されたチャックアッセンブリ(18、20)と、前記半導体ウェハ(14)と接触する電気接触子(20)と、を有する。弾性変形可能な導電性先端(38)を有するプローブ(36)は、前記半導体ウェハ(14)の前面(13)を形成する半導体物質、または前記半導体物質の前面に形成された誘電体(12)の前面(34)と接触するように移動可能である。テスター(82)は、前記電気接触子(20)と前記導電性先端(38)との間に電気刺激を付与し、前記電気刺激に対する反応を測定し、前記反応から前記半導体物質及び/または前記誘電体(12)の少なくとも一つの電気特性を判定するように接続される。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの少なくとも一つの電気特性を測定する測定装置であって、半導体ウェハを支持するアッセンブリと、前記半導体ウェハの前面に接触する弾性変形可能な導電性先端を有するプローブであって、前記半導体ウェハ前面が(i)前記半導体ウェハを形成する半導体物質の前面に形成される誘電体、または(ii)前記半導体物質を含むプローブと、前記半導体ウェハに接触する電気接触子と、前記弾性変形可能な導電性先端と前記電気接触子との間に電気刺激を付与する電気刺激付与手段と、前記電気刺激に対する反応を測定し、前記反応から前記誘電体及び/または前記半導体物質の少なくとも一つの電気特性を判定する電気特性判定手段と、を有することを特徴とする測定装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01R 1/06

FI (2件)：

H01L 21/66 L , G01R 1/06 E

Fターム (15件)：

2G011AA10 , 2G011AB09 , 2G011AC02 , 2G011AC06 , 2G011AE03 , 2G011AF06 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AA12 , 4M106BA14 , 4M106CA12 , 4M106DH16 , 4M106DJ02 , 4M106DJ04 , 4M106DJ06

引用特許：

出願人引用 (5件)

特公昭51-004790
特開平2-205046
不純物量測定方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-134587 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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審査官引用 (5件)

特公昭51-004790
特開平2-205046
不純物量測定方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-134587 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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