特許
J-GLOBAL ID：200903083530257175
ドライエッチングのモニター方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059432
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260802
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】高C/F比ガスのC4F8は、CF4、CHF3に比べ分子量が大きいため、ガス流量の変動、チャンバー内の雰囲気等に対し非常に敏感でエッチャントの生成が難しく、エッチングの途中でエッチングが進行せずにストップし、コンタクトホールの抜け不良が発生するという不具合が生じていたので、エッチング条件を適正に選択する必要がある。【解決手段】半導体装置の製造の際、予め半導体デバイスと同じ開口パターン5を有するフォトレジスト膜4が塗布されたモニター基板を用意し、製造条件と同じ条件でドライエッチングして、コンタクトホールの抜け性をモニターすることにより、エッチング条件設定を選択することができる。
請求項（抜粋）：
モニター用基板の表面に第1の膜を堆積し、前記第1の膜に第2の膜を堆積し、前記第2の膜に第3の膜を堆積し、前記第3の膜を開口して前記第3の膜に開口部を設けたものを用いて、前記第3の膜をマスクとして前記第2の膜を所定のエッチング条件にてドライエッチングし、前記第3の膜及び前記第2の膜を順番に除去し、前記第1の膜の表面での、前記開口部と同一形状の開口形状の有無を観測することにより前記エッチング条件の適否を判定することを特徴とするドライエッチングのモニター方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/66
, G01N 23/225
H01L 21/302 E
, H01L 21/66 P
, G01N 23/225
