特許
J-GLOBAL ID：200903098533521032
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
葛野 信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073568
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266197
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体製品の製造プロセスの中で、エッチング量の適否を判定する、また必要に応じ追加エッチングができるようにする。【解決手段】 半導体製品が製造されるウエハ上に、その製造プロセスと並行して同一条件で形成するものであって、被エッチング材、例えばシリコン酸化膜を、エッチングの性質がこれと同質の層、例えば他のシリコン酸化膜の上と、これと異質の層、例えばシリコン基板の上に形成して、さらにそれぞれの箇所でホールをエッチングにより形成する。この両ホールのエッチング量を原子間力顕微鏡で測定し、下層へのエッチングの到達状態から、製品のエッチング量の適否を判定する。
請求項（抜粋）：
半導体製品が製造されるウエハ上に、それぞれこの半導体製品の製造プロセスと並行して同一条件で形成されたものであって、対エッチング性質が被エッチング材と同質および異質の材層と、この両材層の上に形成されそれぞれ前記同質および異質の材層の上でエッチングにより形成された開口を有する被エッチング材とを備え、前記両開口のエッチング状態を比較確認することにより前記半導体製品のエッチング状態を確認できるようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/306
, H01L 21/768
H01L 21/302 E
, H01L 21/306 U
, H01L 21/90 C
